• 【摩音】庞麦郎热唱霍元甲

    和音太美了…

  • Intel 10nm工艺黑科技炸裂:量子阱晶体管、铟镓砷及应变锗

    Intel手中的黑科技可不少,分析认为Intel将在10nm工艺节点启用量子阱晶体管(Quantum Well FET,简称QWFET),还会使用铟镓砷及应变锗两种新型半导体材料。

    Intel前几天庆祝了半导体业界黄金法则——摩尔定律,通过更先进的工艺不断提升晶体管密度是Intel制胜的关键,他们也以此维护了摩尔定律的准确。如今Intel的制造工艺已经是14nm,下一步就是10nm工艺,面临的挑战还会更多,Intel实际上也延期了10nm工艺进程,但Intel手中的黑科技可不少,分析认为Intel将在10nm工艺节点启用量子阱晶体管(Quantum  Well FET,简称QWFET),还会使用铟镓砷及应变锗两种新型半导体材料。 阅读更多…

  • 【LoveLive!】木吉他组曲vol.3

    不同的音色,轻快的感觉~

  • 在Windows环境下让 Python CGI 输出二进制文件

    服务器是Windows的,现在的需求是通过一个CGI脚本输出一个pdf(或者是一个图片)。发现出来的文件的大小变大了,然后内容显示不出来或者乱码,估计是\r\n导致的问题。折腾了一下午,找到了答案。现在的代码如下:

    filename = r'D:\example.pdf'  #我这里要输出pdf
    print 'Content-type: application/pdf\n\n'
    
    import msvcrt
    msvcrt.setmode(1, os.O_BINARY)   #使stdout为二进制
    
    pdf_file = open(filename, 'rb')
    data = pdf_file.read()
    pdf_file.close()
    print data

     

  • 高达806ppi 夏普推出4K分辨率的5.5英寸屏幕

    当旗舰智能手机已经迈入2K时代的时候,诸多手机厂商已经开始向4K分辨率发起挑战。继日前有消息称三星Galaxy Note 5将会装备4K屏幕之外,今天IGZO屏幕供应商和无边框手机厂商夏普推出了分辨率为2160*3840的Ultra-HD(4K)分辨率的5.5英寸屏幕,像素密度甚至达到了惊人的806ppi,该屏幕计划将于2016年实现量产。

    除了宣布4K分辨率的5.5英寸屏幕之外,夏普还展示了更加雄心勃勃的未来展望,计划在未来在手机领域让屏幕分辨率达到8K(4320*7680),是目前主流设备1080P屏幕的16倍。 阅读更多…

  • 职人的梦想颂歌 ——《白箱》完结记念

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    (点击图片跳转到原文)

     

    今天在A站看到这个专题,就转了。《白箱》是我近年看过的最正能量、最治愈、最良心的番。

    从第一集追到完结,本番情节紧凑之余,还夹杂了不少欢乐与治愈。23集看下来,多次被深深感动。

    在各种新番越来越同质化的今天,P.A给我们带来了又一部值得回味的作品。

  • 【四月再见】“四月是你的谎言”

    《四月》是我近年看的最喜欢的作品之一,虽然有点bad end,但仍然很美。

  • 韵动中国 China in Motion 2015

    转自A站。一直很喜欢延时摄影,未来有车有时间有器材,真想自己也拍一期呢

  • 性能霸主 初探三星Exynos 7420

    今年Galaxy S6的发布会上三星着重介绍了性能,这也难怪,毕竟本次S6的处理器使用了目前手机处理器之中最先进的14nm FinFET工艺制造,相对使用20nm的骁龙810处理器有着明显优势,那么这颗新处理器到底有多强?请跟随我们一起来初步探究吧。

    7420处理器最大亮点在于使用了三星自己的14nm FinFET工艺制作,该工艺是目前手机处理器上最先进的之一——台积电的16nm工艺尚未实现量产,而7420的竞争对手Snapdragon 810处理器使用的还是20nm工艺,从制程工艺的数值上面来说,自然是越小越好,因为晶体管之间的距离越小,那么相对来说能耗就更低,性能就更强,但若是晶体管之间距离太小则会导致芯片不同部分之间发生漏电流(Leakage)现象,而FinFET工艺为了解决该问题,会在两个传导通道之间加入一层很薄的硅“鳍”。

     英特尔公布的FinFET电子显微镜照片

    FinFET全称Fin Field-Effect Transistor(鳍式场效晶体管),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思,FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性,由加州大学伯克利分校的胡正明发明,其工作原理是将晶体管由传统的平面结构变为3D结构,可在电路的两侧控制电路接通和断开,此种设计能够大幅度改善电路控制并减少漏电流(Leakage),同时也能够大幅度缩短晶体管的闸长。

    最早商业化使用FinFET技术的公司是英特尔,该公司在2011年推出了22nm的FinFET工艺,目前包括三星、台积电和Global Foundries等在内的半导体厂家已经积极投身于FinFET的研究和推进工作。 阅读更多…